Si纳米线的气-液-固生长与结构表征
摘要
以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固（VLS）生长机制在n-Si（111）单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20-200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素.讨论了生长温度、SiH4流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响.
引用本文（GB/T 7714）
白振华, 范志东, 程旭, 等. Si纳米线的气-液-固生长与结构表征[J]. 河北大学学报：自然科学版, 2009.
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