一种基于SiGe BiCMOS的高速采样／保持电路

2008微电子学Engineering被引 0

摘要

设计了一种基于BiCMOS工艺的高速采样／保持电路，该工艺提供了180nm的CMOS和75GHz fT的SiGeHBT。差分交换式射极跟随器和低下垂输出缓冲器的结合，使电路具有更好的性能。在CadenceSpectre环境下进行仿真，当输入信号为968．75MHz、Vpp为1V的正弦波，采样速率为2GSPS时，该采样／保持电路的SFDR达到62．2dB，THD达到-59．5dB，分辨率达到9位；在3．3V电源电压下，电路功耗为20mW。

引用本文（GB/T 7714）

潘星, 王永禄, 张正平, 等. 一种基于SiGe BiCMOS的高速采样／保持电路[J]. 微电子学, 2008.

引文网络

参考文献与被引分析加载中…

本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。