钕掺杂对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷
摘要
通过对样品的伏安特性，晶界势垒的测量和分析，研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3）为0.050%的样品表现出最好的压敏性质，其压敏电压为460.69V/mm，密度为6.812g/cm^3，非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源，提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。
引用本文（GB/T 7714）
亓鹏, 高建鲁. 钕掺杂对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2002.
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