透射式GaAs(Cs,O)光电阴极发射电子横向能量的研究
摘要
制备了透射式GaAs阴极组件,测量了GaAs阴极激活过程中阴极光 敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化,用扫描电镜观察GaAs(Cs,O)阴极表面形貌,结果表明:GaAs(Cs,O)阴极发射电子横向能量取决于GaAs晶格温度、阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射,与(Cs,O)激活层无关。
引用本文(GB/T 7714)
闫金良, 向世明. 透射式GaAs(Cs,O)光电阴极发射电子横向能量的研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2000.
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