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Ga2O3掺杂的（K0．44Na0．5Li0．06）（Nb0．89Ta0．05Sb0．06）O3无铅压电陶瓷的微观结构与性能研究

付玲玲、樊喜明、孙海玲、万洋、游庆、徐成刚

2013四川师范大学学报：自然科学版Materials Science被引 0

摘要

采用传统陶瓷烧结工艺制备了（K0．44Na0．5Li0．06）（Nb0．89Ta0．05Sb0．06）O3＋x（质量分数）Ga2O3无铅压电陶瓷，研究了掺杂不同Ga2O3含量对（K0．44Na0．5Li0．06）（Nb0．89Ta0．05Sb0．06）O3陶瓷的晶相、微观结构和电学性能的影响．研究结果表明：x在0～2变化范围内，陶瓷为单一四方相的钙钛矿结构，具有良好的铁电性能；随着体系中Ga2O3含量的增加，陶瓷的最佳烧结温度逐渐降低；Ga2O3，的掺杂导致陶瓷晶粒变小，陶瓷的铁电四方相一顺电立方相的转变温度即居里温度R有少许上升，但陶瓷的压电性能明显劣化．

引用本文（GB/T 7714）