Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体

2003功能材料Engineering被引 0

摘要

采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.

引用本文（GB/T 7714）

李国强, 谷智, 介万奇. Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体[J]. 功能材料, 2003.

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