恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析
摘要
在恒磁场为0～2 T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试。结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显。磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化。依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟。
引用本文（GB/T 7714）
张国斌, 申开盛, 王朝林, 等. 恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析[J]. Lanzhou University Institutional Repository, 2010.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。