Ti／Al／TiN金属化结构中应力空洞的形成机理
摘要
在VLSI的金属化中,应力引起的失效是个引人关注的问题,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性.VLSI工艺实践中,发现Ti/TiN/Ti/Al/TiN的金属化结构经过热退火后,铝条上出现空洞.对于铝空洞形成机理进行了研究与分析,发现张应力的释放是空洞的成因;而在热退火时,作为浸润层的Ti与Al反应生成TiAl3,引入的应力是形成空洞的主导因素.
引用本文（GB/T 7714）
蒋聚小, 郑国祥, 黄榕旭, 等. Ti／Al／TiN金属化结构中应力空洞的形成机理[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2002.
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