射频功率对反应溅射淀积的a—Ge：H薄膜特性的影响
摘要
本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ）、电子自族共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响．发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化．对实验结果作了初步讨论．
引用本文（GB/T 7714）
王辉耀, 王印月. 射频功率对反应溅射淀积的a—Ge：H薄膜特性的影响[J]. Lanzhou University Institutional Repository, 1994.
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