钝化与场板结构对AlGaN／GaN HEMT电流崩塌的影响
摘要
由于AlGaN／GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应，栅漏区域的电场很大，以至于电子可以从栅隧穿到AlGaN表面．隧穿的电子在表面累积，导致栅下耗尽区的电子向漏端延伸，从而引起漏极电流的下降．文中采用应力测试方法，研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN／GaNHEMT的电流崩塌程度．实验结果表明，钝化隔断了电子从栅隧穿到AlGaN表面的通道，场板结构能够有效降低栅边缘电场，均减少了电子从栅隧穿到表面陷阱的几率，从而使虚栅的作用减弱，有效地抑制了电流崩塌效应．
引用本文（GB/T 7714）
马香柏, 张进城, 郭亮良, 等. 钝化与场板结构对AlGaN／GaN HEMT电流崩塌的影响[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2007.
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