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In2O3掺杂Bi0．5（Na0．82K0．18）0．5TiO3无铅压电陶瓷的研究

尹丹、周昌荣、刘心宇、成钧

2010Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniMaterials Science被引 0

摘要

以准同型相界组成Bi0.5（Na0.82K0．18）05TiO3（BNT）为基础配方，In2O3为改性剂，研究了In2O3掺杂量对Bi05（Na0.82K0．18）0．5TiO3无铅陶瓷晶体结构和电性能的影响。XRD分析表明，所有样品的相结构均为纯钙钛矿固溶体。陶瓷的晶粒尺寸随掺杂量的增加而增加。介电常数一温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰矗和tm，在tm的介电常数em随掺杂量的增加而下降，tf和tm都随掺杂量的增加向高温移动。当In2O3摩尔分数为0．1％时，压电性能达最大值：d33=141pC／N，kp=0．32。

引用本文（GB/T 7714）