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Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性

时文华、罗丽萍、赵雷、左玉华、王启明

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 0

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摘要

通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能.而在800℃退火12s,材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量,并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后,超过50%的杂质原子可被激活.

引用本文（GB/T 7714）

时文华, 罗丽萍, 赵雷, 等. Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.

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