一种2．4GHz CMOS低噪声放大器的优化设计
摘要
通过对共源共栅结构的低噪声放大器的噪声和线性度的理论分析。得出该结构的放大器的噪声主要受第一级MOS管的影响。而线性度主要受第二级MOS管的影响。并由此提出一种对该电路的噪声和线性度的分别优化的方法。采用该方法设计一个基于TSMC0．25μmCMOS工艺、2．4GHz的低噪声放大器。仿真结果表明在2．4GHz下，它的噪声系数[NF]为1．15dB，增益S21为16．5dB。工作电压1．5V时，功耗为14mW，线性度IIP3为0.3dBm。
引用本文（GB/T 7714）
石道林, 李跃进, 朱樟明. 一种2．4GHz CMOS低噪声放大器的优化设计[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.
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