SiC p /Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究
摘要
通过利用ＴＥＭ研究ＳｉＣｐ／Ａｌ－Ｓｉ昨合材料发现，ＳｉＣ／Ａｌ界面结合紧密，在靠近ＳｉＣ界面的Ａｌａ基体中，有一层厚度小于１μｍ的“亚晶铝带”，它紧靠ＳｉＣ表面形成，与远离ＳｉＣ的Ａｌ基体有几度的位向差，这种“亚晶铝带”在ＳｉＣ／Ａｌ界面上普遍存在，其内有大量位错。
引用本文（GB/T 7714）
隋贤栋, 罗承萍, 欧阳柳章, 等. SiC p /Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究[J]. 未知来源, 2000.
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