p-Si TFT的电场增强MILC制备技术
摘要
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜，并采用该工艺制备了P沟道薄膜晶体管器件，其迁移率为65cm^2／（V·s），开关态电流比为5×10^4．采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析，结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用．采用EF-MILC技术获得了大的晶粒尺寸，并用此技术制备了P沟多晶硅TFT．表明EF-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-Si TFT的好方法。
引用本文（GB/T 7714）
曾祥斌. p-Si TFT的电场增强MILC制备技术[J]. 华中科技大学学报：自然科学版, 2006.
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