场助InP／InGaAsp／InP半导体光电阴极时间响应的计算
摘要
一、引言 场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见,特别是判别多元化
引用本文（GB/T 7714）
李晋闽, 郭里辉. 场助InP／InGaAsp／InP半导体光电阴极时间响应的计算[J]. 科学通报, 1992.
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