用电化学C—V技术研究Ga InP／GaAs异质结界面特性
摘要
本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０＾１１ｃｍ＾－２，并推算出导带差ΔＥｅ为１２６ｍｅＶ，相应于ΔＥｅ＝０．２８ΔＥｇ。
引用本文（GB/T 7714）
朱文珍. 用电化学C—V技术研究Ga InP／GaAs异质结界面特性[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1996.
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