Si 1-y C y 合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化

2007稀有金属Engineering被引 0

摘要

用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移。

引用本文（GB/T 7714）

王荣华, 韩平, Qi Wang, 等. Si 1-y C y 合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化[J]. 稀有金属, 2007.

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