Si在TiN(001)表面吸附特性的第一原理研究

2008化学工程与装备Engineering被引 0

摘要

本文基于密度泛函理论的第一原理方法,研究了Si在TiN(001)表面的吸附问题。首先计算了TiN的晶格常数值,得到了比较满意的结果。其次计算了Si原子在TiN(001)不同的吸附位置的吸附能,加以比较,计算得到HOLLOW位是比较理想的吸附位置。

刘学杰, 邱阳, 孙士阳. Si在TiN(001)表面吸附特性的第一原理研究[J]. 化学工程与装备, 2008.

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