SiC（N）／LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性

2003Materials Science被引 0

摘要

采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2~12.4GHz频率范围内的微波介电特性。结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关。随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大。SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关。

引用本文（GB/T 7714）

罗发, 周万城, 焦桓, 等. SiC（N）／LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性[J]. 未知来源, 2003.

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