EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 0

摘要

详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.

引用本文（GB/T 7714）

张海鹏, 魏同立, 冯耀兰, 等. EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.

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