p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析
摘要
通过测量ＧｅＳｉ多量了阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１，轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收，测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰。
引用本文（GB/T 7714）
俞敏峰, Yang Yu, 沈文忠, 等. p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1997.
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