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掺钇α—Si：H膜的光性研究
张淑芝、程兴奎
1991Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 0
摘要
用反射消光式椭圆偏振光谱研究了射频溅射法制备的不同衬底温度和不同掺钇浓度下的α-Si:H(Y)膜在可见光区的光学性质,结果与透射谱一致。由红外吸收谱判断膜中氢含量和存在形式随生长条件和掺钇浓度变化。
引用本文（GB/T 7714）
张淑芝, 程兴奎. 掺钇α—Si：H膜的光性研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1991.
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