磁控溅射偏压对Zr-Si—N扩散阻挡层组织结构的影响
摘要
用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层.结果表明:Zr-Si-N膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同;随着溅射偏压的增加,Zr-Si-N膜的表面粗糙度值增大;Zr/Si比值也随着偏压的增加而增大;电阻率随偏压的增加显著降低;Zr-Si-N膜的结构为类似Si3N4的氮硅化物非晶相与ZrN组成的复合结构,随着偏压的升高ZrN由非晶转变为纳米晶,而且ZrN晶体相增加.
引用本文（GB/T 7714）
宋忠孝, 徐可为, 陈华. 磁控溅射偏压对Zr-Si—N扩散阻挡层组织结构的影响[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2004.
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