GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

1995原子能科学技术Engineering被引 0

摘要

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。

缴桂跃, 王文勋. GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统[J]. 原子能科学技术, 1995.

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