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3-D TSV芯片开始起步

SallyColeJohnson

2007集成电路应用Engineering被引 0

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摘要

IBM在其T.J.Watson研究中心和世界上的其它实验室内对3-D芯片堆叠技术进行了十多年的研究之后,目前开始在其生产线上使用穿透硅通孔(through-siliconvia,TSV),或叫做through-via,来制造芯片。“蓝色巨人”计划在今年晚些时候为客户提供样品芯片,并希望在2008年将TSV技术投入量产。

引用本文(GB/T 7714)

Sally, Cole, Johnson. 3-D TSV芯片开始起步[J]. 集成电路应用, 2007.

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