体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析
摘要
利用简化的半导体电学方程，数值模拟获得了各种电学参数的分布，并结合简化电阻模型，模拟了体硅、SOI及DSOI的MOSFET器件的温度场。结果表明MOSFET器件的沟道，特别是靠近漏的区域电场强度及电流密度等各项电、热特性参数在该区域变化剧烈，是最主要的热源区。
引用本文（GB/T 7714）
梁新刚, 刘宏伟. 体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2003.
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