一种高线性度R-MOS-C带通滤波器设计
摘要
本文完成了R-MOS-C结构的六阶ChebvshevⅠ型片内带通滤波器的设计。该设计针对以MOS管作为压控电阻的潜在问题,给出了提高其线性度的解决方案;并将开关电容放入自动调谐电路,实现了对R-MOS电阻的精确控制。滤波器在SMIC 0.18um工艺流片,实测频率响应曲线随PVT变化在±2kHz。
引用本文（GB/T 7714）
Kai Zhu, 万培元, 林平分. 一种高线性度R-MOS-C带通滤波器设计[J]. 科技信息, 2013.
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