应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究
摘要
报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。
引用本文（GB/T 7714）
沈文忠, 唐文国. 应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1996.
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