CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3／Si p—i—n（SOI）光电探测器
摘要
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SIO衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器。测试结果表明：其工作波长范围为0.7-1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm，响应度为0.38A/W。在3.0V的偏压下，其暗电流小于1nA，寄生电容小于1.0pF，上升时间为2.5ns。其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性，为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试，在高速光信号探测等应用中有一定的价值。
引用本文（GB/T 7714）
郭辉, 黎晨. CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3／Si p—i—n（SOI）光电探测器[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2002.
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