GeSi／Si PIN红外探测器的漏电现象分析
摘要
根据半导体理论并结合实验结果，分析了以ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格为吸收材料的ＰＩＮ红外探测器的漏电现象，结果表明，当锗含量ｘ＝０．６时，探测器的暗电流密度可达到１０＾－５Ａ／ｃｍ＾２，这是由超晶格的禁带宽度决定的，实际器件的暗电流较大，主要是表面因素和加工工艺的影响。
引用本文（GB/T 7714）
L. Nuo Nuo, 刘恩科. GeSi／Si PIN红外探测器的漏电现象分析[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1998.
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