一种采用0．5μm CMOS工艺的多通道SARADC
摘要
设计并实现了一个多通道12位逐次逼近（SAR）A／D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真，转换速率为133ksps,转换时间为7．5μs。通过低功耗设计，工作电流降低为2．48mA。芯片基于0.5／,mCMOS工艺完成版图设计，版图面积为2．4mm×2．3mm，流片测试满足设计指标。
引用本文（GB/T 7714）
彭新芒, 杨银堂, 朱樟明. 一种采用0．5μm CMOS工艺的多通道SARADC[J]. 微电子学, 2007.
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