6H-SiC平面状及圆柱状P~+n结击穿电压的分析
摘要
采用有效电离系数导出了６Ｈ－ＳｉＣ平面状及圆柱状ｐ＾＋ｎ结击穿电压的分析表达式，有效电离系数是由电子和空穴的电离系数获得的。示出在平面状情况下，基区掺杂浓度在１０＾１６￣４×１７＾１７ｃｍ＾－３区间内，所计算的击穿电场和击穿电压与所公布的实验结果完全一致。所得分析结果可用于对６Ｈ－ＳｉＣ器件中击穿电压作出简单的预测。
引用本文（GB/T 7714）
Dac-s., 任玉梅. 6H-SiC平面状及圆柱状P~+n结击穿电压的分析[J]. 电力电子技术, 1996.
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