场引晶体管理论：XI．双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体，单及双MOS栅极）
摘要
场引晶体管本质双极，包括电子和空穴表面和体积沟道和电流，一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明，55年来它被认为单极场引晶体管，因电子电流理论用多余内部和边界条件，不可避免忽略空穴电流．多余条件，诸如电中性和常空穴电化电势，导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解．当忽略的空穴电流与电子电流可比，可在亚阈值区和强反型区，错误解有巨大误差．本文描述普适理论，含有电子和空穴沟道和电流．用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体（x，y，z）晶体管，薄或厚、纯或杂基体，一或二块MOS栅极，描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件．没用多余条件，导出四种常用MOS晶体管，直流电流电压特性完备解析方程：半无限厚不纯基上一块栅极（传统的Bulk MOSFET），与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极（SOI），在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极（SOI TFT），和薄纯基上两块栅极（FinFETs）．
引用本文（GB/T 7714）
薩支唐, 揭斌斌. 场引晶体管理论：XI．双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体，单及双MOS栅极）[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2008.
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