Bi4（SiO4）3晶体结构的X射线粉末衍射研究
摘要
在Ｘ射线衍射仪上收集了Ｂｉ４（ＳｉＯ４）３的衍射数据；利用Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法对衍射数据进行指标化，Ｆ３０＝１５８．９０；确定了Ｂｉ４（ＳｉＯ４）３的晶体结构参数。结果发现：该结构中硅氧四面体是变形的孤立四面体，其中两个Ｏ－Ｓｉ－Ｏ键角为１０７．１３°，而另两个为１１４．２６°，详细报道了晶体结构，给出了晶体结构图；提出Ｂｉ离子最外层孤对的６ｓ＾２电子的存在是形成这种变形配位多面体的原因。
引用本文（GB/T 7714）
刘红超, 吕光烈. Bi4（SiO4）3晶体结构的X射线粉末衍射研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1996.
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