512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器

熊平、周旭东、邓光华、李作金、Wang Yui Ying、李华高、袁礼华、蒋志伟

2003半导体光电Engineering被引 0

摘要

研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2 μm设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为36 μm(H)×34 μm(V),填充系数为40%.器件工作在80 K温度下.在阵列帧频为30帧每秒及镜头为F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15 K.用1 000 K黑体测得其探测率D*为1×1010 cm* Hz1/2/W.对器件设计及性能测试结果进行了介绍.

引用本文（GB/T 7714）

熊平, 周旭东, 邓光华, 等. 512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器[J]. 半导体光电, 2003.

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