10Gbit／s 0．18μm CMOS激光驱动器的集成电路
摘要
为了得到低电压、低功耗、高速率的激光驱动器电路,采用0.18 μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s的激光驱动器集成芯片.电路的核心单元为两级直接耦合的差分放大器和电流输出电路.为扩展带宽、降低功耗,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术,整个芯片面积为0.94 mm×1.25 mm.经测试,该芯片在1.7 V电源电压时,最高可工作在11 Gbit/s的速率上;当输入10 Gbit/s、单端峰峰值为0.3 V的信号时,在50 Ω负载上的输出电压摆幅超过1.7 V,电路功耗约为77.4 mW.进一步优化后,该电路可适用于STM-64系统.
引用本文（GB/T 7714）
雷恺, 冯军, 黄璐, 等. 10Gbit／s 0．18μm CMOS激光驱动器的集成电路[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2005.
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