1.52μmInGaAsP/InP分别限制量子阱激光器
摘要
报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０ｕｍ和１．３ｕｍ ＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子阱结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。
引用本文（GB/T 7714）
陈松岩, 李玉东. 1.52μmInGaAsP/InP分别限制量子阱激光器[J]. 高技术通讯, 1995.
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