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ITO/Si/Al结构太阳电池pn结光电特性仿真研究
施敏、Qiang Wang、孙玲
2010半导体光电Materials Science被引 0
摘要
设计了基于SILVACO-TCAD仿真工具的具有ITO/Si/Al结构太阳电池单元,研究了在此结构中pn结特性对光电流的影响。研究表明,pn结位置越浅,光电流越大;光电流随pn结中杂质浓度增加而先增加后减小,电流极值向短波方向移动。
引用本文(GB/T 7714)
施敏, Qiang Wang, 孙玲. ITO/Si/Al结构太阳电池pn结光电特性仿真研究[J]. 半导体光电, 2010.
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