用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器

1991Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniPhysics and Astronomy被引 0

摘要

用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。

引用本文（GB/T 7714）

师庆华. 用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1991.

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