电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究
摘要
阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法－电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ）并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论，着重研究了Ⅱ，Ⅳ族元素Ｃｄ，Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ和Ｃｄ在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值，由此确定了在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ，Ｃｄ原子层的方法，在此基础上，初步进行了多次交替沉积，并用ＡＦＭ与Ａ
引用本文（GB/T 7714）
樊玉薇, Li Xiang. 电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1998.
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